本研究室拥有从材料制备/处理,到结构分析,电学/光学性能测量等多种实验设备。

料制备/处理
(1)材料烘干用烘箱, (2)称量精密电子天平(分辨率10微克), (3)混料用自动玛瑙研钵

(1)(2)

(4)静水压成型机, (5)烧结管状炉(自制,程序温控,使用温度1500℃), (6)烧结用高温炉(最高温度1750℃)
(4)(5)(6)

(7)SPS(Spark Plasmas Sintering)烧结装置, (8)单晶生长炉(最高温度1800℃),(9)高速升温炉(>50℃/分)
(可进行加压烧结,适用于制备透明陶瓷。
加压范围 20 KN, 最高使用温度2400℃
)
(7)(8) (9)

(10)单晶定向切割仪, (11)样片抛光机, (12) 镀金电极装置
(10)(11) (12)
晶体结构分析
(1)粉末X射线衍射线仪
(1)

光学特性观察
(1)偏光显微镜测量系统(温度范围:83K-873K), (2) 线形光电效应测量用干涉仪
(可用于形貌观察(投射,反射两模式)
(可在电场下观测电畴随温度变化)
(附有微探针,可用于薄膜的介电回线温度变化测量
)
(1) (2)

电学性能测量
(1)极化装置(温度:-250℃电压:2万V), (2) Piezo d33/d31 meter(ZJ-6B)压电系数测量仪
(1) (2)

(3) Keithley 6517 electrometer/High resistance meter, (4) Precision LCR meter E4980(200Hz-2MHz)
(3) (4)

(5)电极化回线测量系统(D-E loop, 电场-形变特性测量, 东阳技术FCE-3, 电压:1万伏特,温度范围:-100℃~200℃ 形变范围:1nm~50μm)。
(5)

(6)仁木工艺低温测量系统 (温度:300K-1300 K),(7)高温测量系统(300K-1300 K介电,压电温度变化测量)
(可用于介电频谱,热释电,压电振子谐振,阻抗,
温度特性测量,备有光学窗口,可用于光学观测.)

(6)(7)

2015/04/15 更新,版权所有禁止复制 © Fu's Lab